半导体工艺设备
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立式炉
- 产品简介
- 产品特点
- 技术参数
- 应用范围
主要用于半导体器件制程中的掺杂、氧化、推阱、退火、合金、薄膜沉积等工艺。
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序号
指标名称
主要技术指标
1
晶圆尺寸
8英寸
2
最高温度
1100℃（石英）
1250℃（碳化硅）
3
控温精度
≤±0.5℃
4
温度均匀性
≤±1℃
5
升温速率
0-10℃/min
6
最大装载量
170片
7
有效工作区域
Φ230mm×780mm
8
温区数量
5
9
气路数量
4
10
片内均匀性（WIW）
≤2%
11
片间均匀性（WTW）
≤2%
12
批间均匀性（RTR）
≤2%
13
新增颗粒
≤50（≥0.16μm）
≤30（≥0.2μm）
14
金属污染
<5E10 atms/cm2
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主要用于半导体器件制程中的掺杂、氧化、推阱、退火、合金、薄膜沉积等工艺。
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