离子束刻蚀机（IBE）

兼容不同尺寸多材料加工；可实现材料表面改性及光栅微结构制备；束流能量可调，可实现不同参数控制；可定制增配多腔体、终点检测等。

利用低能平行Ar⁺离子束对基片进行物理轰击，通过掩膜选择性地溅射去除未被覆盖的材料，实现高分辨率、高陡直度的图形转移。可兼容金属、合金、半导体、绝缘体等多种材料，满足器件制造中对微细结构的关键工艺需求。

可选配刻蚀终点监控系统，实现离子蚀刻控制以及过程质量最优化监测。
低温基片台设计，避免基片刻蚀损伤，基片表面温度不超过50℃。
工艺配方自由组合，自动化程度高，一键式自动工艺。
工件台角度0～160°自由可调；
兼容其他小于8寸尺寸晶圆和异性片。

1、最大加工尺寸：8寸；
2、腔体数量：1个工艺腔（金属）；
3、刻蚀选择比：金属:PR≥1:1；
4、气体路数：≥9路；
5、下电极温度及稳定性：加热范围：5~35℃，温度稳定性：±2℃；
6、反应室温度重复性：≤±1℃；
7、工艺腔极限真空：≤7.5E-4mT。

焦平面探测器、红外器件、隧道磁阻（TMR）传感器、激光芯片、MEMS器件、AR和MR器件表面浮雕光栅、硅电容。