GaAs/InP MOCVD

基于As/P工艺特点，整机拥有可靠全方位的安全防护设计，确保设备本质安全；
具备高可靠性的传输、高均匀性温流场控制；
可兼容不同规格的晶圆，支持8、6、4、3、2英寸衬底材料外延，维护周期长且便捷、运行环境要求低，设备整体运行成本低；
完全自主开发软件架构，具备receipe模拟、纠错、对比等特异性功能，能够根据客户需求定制完善。

GaAs/InP MOCVD设备，主要是在精确控制的压力与温度环境下，在特定的反应气氛中利用金属有机源与氢化物进行化学反应，在衬底表面进行III-V族化合物半导体的外延生长，实现原子级的厚度控制与组分调节，构建高质量的异质结与量子阱结构，优化载流子迁移率与发光效率，是制备高性能光电子器件与射频芯片的核心装备。

基于As/P工艺特点，整机拥有可靠全方位的安全防护设计，确保设备本质安全；
具备高可靠性的传输、高均匀性温流场控制；
可兼容不同规格的晶圆，支持8、6、4、3、2英寸衬底材料外延，维护周期长且便捷、运行环境要求低，设备整体运行成本低；
完全自主开发软件架构，具备receipe模拟、纠错、对比等特异性功能，能够根据客户需求定制完善。

1、晶圆规格：8×6吋（兼容5×8/12×4/15×4/14×3吋）；
2、最高生长温度：≥900℃；
3、控温精度：≤±0.1℃；
4、升温速率：≥100℃/min；
5、反应室温度均匀性：≤±1℃；
6、反应室温度重复性：≤±1℃；
7、GaAs基材料（以下数据基于6吋GaAs基衬底材料外延，去边5mm）
材料质量（Hall测试）：
迁移率＞7000 cm2/Vs（室温），≥75000 cm2/Vs（77K）；
背景载流子浓度（N型）≤1E15/cm3；
掺杂浓度：
N型（掺Si）：5×1016-5×1018cm-3，
P型（掺C）：5×1017-5×1019cm-3；
掺杂浓度非均匀性：
N型（掺Si：5×1016cm-3-5×1018cm-3）：σ/Average≤1%，
P型（掺C：1×1018cm-3-5×1019cm-3）：σ/Average≤1%；
掺杂深度非均匀性：
掺杂深度非均匀性≤5%；
厚度非均匀性：
σ/Average＜1%；
波长非均匀性：
Al（0.2-0.35）GaAs波长非均匀性：σ/Average≤0.1%；
Ga0.51In0.49P材料波长非均匀性：σ/Average≤0.1%；
GaAlInP材料（~590nm）波长非均匀性：σ/Average≤0.1%。
8、InP基材料（以下数据基于2吋InP基衬底材料外延，去边2mm）材料质量（Hall测试）：
InP迁移率≥4500 cm2/Vs（室温），
本底杂质浓度≤1E14/cm3；
InGaAs迁移率≥10000 cm2/Vs（室温），
本底杂质浓度≤1E15/cm3；
掺杂浓度：
InP材料N型（掺Si、含表面）：5×1016-5×1018cm-3，
InP材料P型（掺Zn、含表面）：5×1017-5×1018cm-3；
InGaAs材料N型（掺Si、含表面）：5×1016-5×1018cm-3，
InGaAs材料P型（掺Zn、含表面）：5×1017-1×1019cm-3；
掺杂浓度非均匀性：
InP材料N型（掺Si:5×1016cm-3-5×1018cm-3）：σ/Average≤1%，
InP材料P型（掺Zn:1×1018cm-3-5×1018cm-3）：σ/Average≤1%；
InGaAs材料N型（掺Si：5×1016-5×1018cm-3)：σ/Average≤1%，
InGaAs材料P型（掺Zn：5×1017-1×1019cm-3):σ/Average≤1%；
掺杂深度非均匀性：
InP掺杂深度非均匀性≤5%，
InGaAs掺杂深度非均匀性≤5%；
厚度非均匀性：
σ/Average＜1%；
波长非均匀性：
InGaAs波长非均匀性：σ/Average≤0.1%；
InGaAsP波长非均匀性：σ/Average≤0.2%。

GaAs/InP MOCVD主要用于空间太阳能电池、光电器件、射频器件的器件外延，是制造高性能光电子和微电子器件的基石工艺。