GaAs/InPMOCVD设备,主要是在精确控制的压力与温度环境下,在特定的反应气氛中利用金属..
利用低能平行Ar⁺离子束对基片进行物理轰击,通过掩膜选择性地溅射去除未被覆盖的材料,..
应用于宽禁带半导体器件、电力电子器件、光电子等行业氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制备;..
应用于集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧..
应用于集成电路制造中的监膜氧化层、多晶硅淀积;适用工艺有TEOS、Poly、SiN。
应用于HgCdTe材料外延生长。